Samsung: Νέο ερευνητικό κέντρο για την ανάπτυξη προηγμένων μικροτσίπ

Η Samsung ανακοίνωσε ότι θα επενδύσει ποσό σχεδόν 15 δισεκατομμυρίων δολαρίων, έως το 2028, για τη δημιουργία ενός νέου συμπλέγματος ερευνητικών κέντρων για προηγμένα μικροτσίπ στη Νότια Κορέα.

Το νέο συγκρότημα ημιαγωγών δημιουργείται για να ξεπεραστούν οι ελλείψεις σε ημιαγωγούς αλλά και για να σταθεροποιηθεί το ανταγωνιστικό πλεονέκτημα της εταιρείας στη συγκεκριμένη τεχνολογία, σύμφωνα με τα όσα ανακοίνωσε η Samsung.

Οι νέες εγκαταστάσεις θα χτιστούν στο ήδη υπάρχον σύμπλεγμα της Giheung, στα νότια της πρωτεύουσας Σεούλ, και αναμένεται να παίξουν καθοριστικό ρόλο στην έρευνα για καινοτόμες, νέες τεχνολογίες και μεθόδους παρασκευής ημιαγωγών τόσο για τσιπ μνήμης όσο και για ολοκληρωμένα κυκλώματα επεξεργαστών (system-on-chip).

Οι νέες εγκαταστάσεις θα καλύπτουν έκταση 109.000 τετραγωνικών μέτρων. Σημειώνεται ότι η Samsung διατηρεί τρία campus στη Νότια Κορέα για την έρευνα και την παραγωγή προηγμένων ημιαγωγών.

Στις εγκαταστάσεις της Giheung αναπτύχθηκε και ανακοινώθηκε το 1992 η πρώτη μνήμη DRAM 64MB, ένα προϊόν που έμελλε να είναι αυτό που έκανε την κορεατική εταιρεία τον μεγαλύτερο κατασκευαστή τσιπ μνήμης την επόμενη χρονιά, θέση που διατηρεί έως σήμερα.